2026年09月14日讯：近日，蚌埠市五河县生态环境分局发布公示，安徽芯源通达半导体年产20万片高品质AI光通信磷化铟衬底产业化项目迎来首次环评公示。

项目总投资3亿元，其中固定资产投资2亿元。规划年产20万片高品质磷化铟衬底，产品主要适配AI光通信、高速光模块等主流高端应用场景。建设内容涵盖百级、千级、万级分级洁净生产车间、研发实验室、仓储场地及公用、环保配套设施，同时配套采购单晶生长、切片抛光、超净清洗、精密检测等全套生产设备，搭建标准化高端衬底生产体系。

延伸阅读：磷化铟（InP）衬底是当前AI算力时代光通信领域最核心的基础材料，其性能优势、应用场景和产业前景共同构成了它作为"光学心脏"的战略地位。磷化铟是典型的第二代Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，由铟和磷按1:1原子比构成，禁带宽度约1.34eV，属于直接带隙材料。这意味着它能高效完成"电转光"和"光转电"的双向转换，而硅作为间接带隙材料本身无法高效发光。它的电子迁移率可达5400cm²/V·s，是硅材料的4倍以上，击穿场强约5×10⁵V/cm，同时具备饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好等特性。最关键的是，磷化铟的发光波长恰好落在光纤传输损耗最低的1310nm和1550nm两个窗口，是目前唯一可量产、能精准适配这两大主流通信波段的衬底材料。相比之下，砷化镓主要用于短距离传输的VCSEL，而磷化铟则是中长距离电信和数据中心互联的"唯一选材"。

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